JY4P7M MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων καναλιών Π για το υψηλής τάσης φορτίο

JY4P7M MOSFET δύναμης τρόπου αυξήσεων καναλιών Π για τις υψηλής τάσης εφαρμογές φορτίων

Γενική περιγραφή

Στις υψηλής τάσης εφαρμογές φορτίων, το JY4P7M αποδεικνύεται μια εξαιρετικά αξιόπιστη και αποδοτική συσκευή. Επιτυγχάνει μια υψηλή πυκνότητα κυττάρων και ελαχιστοποιεί αποτελεσματικά στην αντίσταση ‐ μέσω της χρησιμοποίησης των τεχνικών επεξεργασίας τάφρων εξεχουσών θέσεων. Επιπλέον, η συσκευή χαρακτηρίζει τη χαμηλή δαπάνη πυλών, ενισχύοντας περαιτέρω performance.ents της.  Πάρτε περισσότερες λεπτομέρειες παρακαλώ χτυπά εδώ.

Χαρακτηριστικό γνώρισμα

●‐ 40V/‐ 70A, RDS (ΕΠΆΝΩ) ≤10mΩ@VGS= ‐ 10V
●Σχέδιο κυττάρων υψηλής πυκνότητας για υπερβολικά χαμηλό Rdson
●Πλήρως χαρακτηρισμένα τάση και ρεύμα χιονοστιβάδων
●Άριστη συσκευασία για τον καλό διασκεδασμό θερμότητας

Εφαρμογές

●Μετάβαση φορτίων στις υψηλής τάσης εφαρμογές
●Διαχείριση δύναμης για τα συστήματα αναστροφέων

Περιγραφή ΚΑΡΦΙΤΣΩΝ

TO252 περίληψη συσκευασίας

Εικόνες